智通财经APP获悉，东方证券发布研报称，2026年第一季度，受益于AI需求强劲及原厂产能调整，存储价格持续上涨，且供需紧张态势延伸至消费电子领域。存储配套芯片及模组厂商将深度受益于技术迭代与量价齐升，建议关注国产存储芯片设计、封测及设备等全产业链投资机遇。
东方证券主要观点如下：
事件
长鑫科技IPO更新财报，26Q1实现营收508亿元，实现净利润330亿元，扣非归母净利润263亿元。据该行测算，26Q1长鑫科技营收环比增速达71%。公司指引26H1实现营收1100-1200亿元，实现净利润660-750亿元，实现扣非归母净利润520-580亿元。
存储供需紧张持续，厂商业绩继续强劲成长
部分投资者担忧消费电子需求可能承压，影响存储需求及未来价格涨幅。但该行认为AI存储需求强劲，存储价格有望继续保持强劲表现。供给方面，存储原厂优先分配位元产出至服务器相关存储产品，有望推动消费电子存储领域同样保持供给紧张态势。根据TrendForce，2026年第二季Mobile DRAM合约价持续大幅上扬，第二季LPDDR4X平均销售单价（ASP）将至少季增70%–75%，LPDDR5X则季增78%–83%。价格强劲上涨有望继续带动存储厂商的业绩高成长。铠侠预计FY26Q1（4-6月）营收及利润都将实现显著环比增长，其中预计营业收入将达17500亿日元，环比增长74.5%；Non-GAAP营业利润将达13000亿日元，营业利润率将超74%，Non-GAAP净利润预计8700亿日元，净利润率接近50%。
存储相关配套芯片有望充分受益存储整体量的成长及迭代升级
此前市场更多关注直接受益存储价格上涨的存储芯片厂商，忽略了存储相关配套芯片厂商的成长性。该行认为，存储相关配套芯片有望充分受益存储整体量的成长及迭代升级。相关领域的国内企业持续布局新产品，推动自身成长。在内存模组相关领域，CPU在AI服务器用量增加将推动内存模组需求增长，内存接口芯片、SPD等芯片有望深度受益于内存模组数量提高；MRCD/MDB等芯片还有望深度受益于MRDIMM等高性能内存模组标准的渗透率提升；此外VPD也有望受益于CXL内存模组的起量。在固态硬盘领域，VPD有望受益于新一代EDSFF eSSD模组的推出；SSD主控芯片有望受益于企业级固态硬盘的量提升以及迭代升级。目前部分国内企业已经在存储相关配套芯片领域获得较强的市场竞争力，有望深度受益。
利基存储产能有望持续受到主流存储的挤压
海外原厂持续退出MLC/SLCNAND等利基存储产能。三星电子已从26年3月起逐步停止其位于韩国华城12号产线的2DNAND生产；铠侠也在26年3月正式通知客户逐步退出2DNAND市场。在海外原厂退出产能下，据全球半导体观察公众号，近期64Gb MLCNAND现货价较2025年底水平暴涨超300%，近期交易价达到20至28美元区间。展望未来，利基存储产能有望持续受到主流存储的挤压。
投资建议与投资标的
建议继续把握存储产业链高确定性成长机遇。相关标的：国内存储芯片设计厂商兆易创新、普冉股份、聚辰股份、东芯股份、北京君正等；受益存储技术迭代的澜起科技、联芸科技、翱捷科技等；国产存储模组厂商江波龙、德明利、佰维存储、大普微-UW等；半导体设备企业中微公司、精智达、京仪装备、微导纳米、拓荆科技、北方华创等；国内封测企业深科技、汇成股份、通富微电等；配套逻辑芯片厂商晶合集成等。
风险提示
AI落地不及预期，技术迭代速度不及预期，国产化进展不及预期。
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